3세대 칩은 무엇을 의미하나요?

3세대 반도체는 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)을 주성분으로 하는 반도체 소재다. 1세대·2세대 반도체 소재(SI, CaAs)와는 다르다. 반도체 재료는 고주파수, 고효율, 고전력, 고전압 저항 및 방사선 저항과 같은 많은 장점을 가지고 있으며 5G, 신 에너지 차량, 가전 제품, 차세대 디스플레이, 항공 우주 및 기타 분야에서 중요한 응용 분야를 가지고 있습니다. 현재 5G, 신에너지 차량, 충전 파일, 태양광 발전, 철도 운송 및 기타 분야의 핵심 구성 요소에 주로 사용되며 위 분야는 모두 국가 핵심 개발 방향입니다.

1세대, 2세대 반도체 소재 개발에 있어서 우리나라는 시작 시기가 많이 뒤쳐져 있어 다른 국가에서 소재 수급을 제한하고 있는 상황이다. 그러나 3세대 반도체 소재 분야에서는 국내 제조사가 외국 제조사와 유사한 스타트업을 갖고 있어 보급률이 낮다. 14차 5개년 계획'을 통해 국내 제조업체가 기술적 굴곡을 달성할 것으로 예상된다.

1세대 반도체 재료는 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)으로 대표됩니다. 이러한 유형의 재료 산업 체인은 상대적으로 성숙되어 있으며, 완전한 기술 보유량과 낮은 생산 비용을 갖추고 있습니다.

2세대 반도체 재료는 갈륨비소(GaAs)와 인듐인화물(InP)로 대표되며, 이들의 물리적 구조는 직접적인 밴드갭의 특성을 가지며 더 나은 광전자공학을 가지고 있습니다. Si 재료보다 높은 작동 주파수, 고온 저항, 방사선 저항 및 기타 장점을 가지며 고속, 고주파, 고전력 및 발광 전자 장치를 만드는 데 적합합니다. 고성능 마이크로파, 밀리미터파 소자, 발광소자 등으로 이동통신, 위성통신, 광통신, GPS 네비게이션 등 다양한 분야에 활용된다.

3세대 반도체는 화합물을 말한다. 질화갈륨(GaN)과 탄화규소(SiC)로 대표되는 반도체이며, 산화아연(ZnO), 다이아몬드도 포함한다. 이런 종류의 반도체 물질은 밴드갭이 2.2eV 이상이기 때문에 와이드(wide)라고도 한다. 밴드갭 반도체 재료