탄화 규소 웨이퍼 소개

실리콘 카바이드 (SiC) 는 높은 열전도도, 높은 항복 전계 강도, 높은 포화 전자 드리프트 속도, 높은 화학적 안정성 및 방사선 저항성, 격자 상수 및 열팽창 계수가 질화 갈륨 (GaN) 과 유사한 광대역 갭 반도체 재료입니다. HB-LEDs (고휘도 발광 다이오드) 를 만드는 데 이상적인 라이닝 소재일 뿐만 아니라 고온, 고주파, 고전력, 방사선 방지 전자 장치를 만드는 데 이상적인 소재입니다.

탄화 실리콘 칩의 주요 응용 분야는 LED 솔리드 조명과 고주파 부품이다. 이 재질은 밴드 갭, 드리프트 속도, 항복 전압, 열전도도, 고온 등 우수한 특성을 가지고 있어 기존 실리콘보다 몇 배나 높다. 고온, 고압, 고주파, 고전력, 광전, 방사선, 마이크로웨이브 등의 전자 응용 분야와 항공 우주, 군공, 원자력 등 극단적인 환경 응용 분야에 대체불가의 장점이 있다.