CL이 무슨 뜻인가요?

CL은 CAS Latency의 약자로 일반적으로 CAS Latency로 번역됩니다. Northbridge(Intel)/CPU(AMD의 최신 CPU)가 메모리 데이터를 읽을 때 사용되는 매개변수입니다. . 비교적 큰 영향을 미칩니다.

CAS는 메모리 신호 중 하나입니다. 메모리를 읽는 구체적인 프로세스는 다음과 같습니다. 그래프 용지의 행과 유사한 행(RAS#)과 열(CAS#)의 두 가지 신호가 있습니다. 메모리 데이터를 읽을 때 RAS# 신호는 로우로 풀링됩니다. 메모리 주소 라인의 주소는 행 주소이며, 이는 몇 클럭 사이클 후에 그래프 용지의 행을 결정하는 것과 같습니다. , CAS# 신호는 로우로 당겨지고, 메모리 주소 라인의 주소는 그래프 용지의 열을 결정하는 것과 동일한 열 주소입니다. 이런 식으로 그래프 용지의 해당 그리드의 데이터는 다음과 같습니다. 몇 번의 클록 사이클(CL) 후에 해당 메모리 읽기가 시작됩니다.

이와 같이 CL은 CAS#에서 메모리 데이터 읽기를 시작하는 클럭 수입니다. 동일한 클럭 속도를 갖는 메모리(예: DDR333)의 경우 CL이 작을수록 속도가 빨라집니다. , 클럭 속도가 다른 메모리의 경우 CL이 작을수록 속도가 빨라집니다(예: DDR333 대 DDR400).

사진을 올릴 수 없다는 점이 아쉽습니다. 그렇지 않으면 매우 직관적으로 볼 수 있습니다.

데이터 출력(읽기)

열 주소를 선택한 후 구체적인 저장 단위가 결정되고 남은 것은 데이터가 데이터 I/O 채널을 통과한다는 것입니다( DQ) 메모리 버스로 출력됩니다. 그러나 CAS가 발행된 후 데이터가 출력될 때까지 일정 시간이 소요됩니다. CAS 및 읽기 명령이 발행된 후 첫 번째 데이터 출력까지의 기간을 CL(CAS Latency, CAS 대기 시간)로 정의합니다. CL은 읽는 동안에만 나타나므로 CL을 읽기 대기 시간(RL, Read Latency)이라고도 합니다. CL의 단위는 클럭 사이클 수인 tRCD와 동일하며, 구체적인 시간 소모는 클럭 주파수에 따라 결정됩니다.

그러나 CL 사이클 이후에는 CAS가 저장 장치로 전달되지 않습니다. 실제로 CAS는 RAS처럼 즉시 도착하지만 CAS의 응답 시간이 더 빠릅니다. 왜? 칩 비트 폭이 n 비트이고 열 수가 c라고 가정하면 행 주소는 n×c 메모리 뱅크를 게이트해야 하고 열 주소는 n 메모리 뱅크만 게이트하면 됩니다. 그러나 메모리 뱅크에 있는 트랜지스터의 응답 시간으로 인해 여전히 CAS와 동일한 상승 에지에서 데이터가 트리거되는 것이 불가능하므로 적어도 1클럭 사이클만큼 지연되어야 합니다.

CL의 값은 칩의 설계 사양을 초과할 수 없습니다. 그렇지 않으면 메모리가 불안정해지고 심지어 부팅에 실패할 수도 있으며(오버클럭을 하는 플레이어라면 이런 경험을 했을 것입니다) 이전에는 일시적으로 변경할 수 없습니다. 데이터를 읽습니다. CL 사이클은 부팅 초기화 과정 중 MRS 단계에서 설정되며 일반적으로 사용자는 BIOS에서 이를 조정할 수 있으며, BIOS는 A4-A6을 통해 Northbridge 칩을 제어하여 MR의 CL 레지스터 정보를 변경합니다. 부팅 중 주소 입력란.

참조 자료: DDR(Double Data Rate) SDRAM 사양