강대천 상세 대전

강대천, 남성, 대련 공대 재료과학 공학원 강사. 기본소개 중문명: 강대천 국적: 중국 졸업원: 대련공대 학위/학력: 박사업무경험, 교육경력, 연구분야, 대표논문, 업무성과, 근무경력 214.6-지금까지 대련공대재료과학공학학원 강사 212.6-214.6 대련공대화학공학기술박사후 이동역 교원 박사후 교육경험 26.9-212.6 대련공대재료과학공학대학원 박사 22.9-26.6 대련공대 재료과 학공학대학 학사연구 분야 전자빔 제련제 태양급 다결정 실리콘 기술 연구 다결정 실리콘 방향 정화 기술 연구 석보 연구 방향 태양급 다결정 실리콘 야금 제조; 태양열 다결정 실리콘 재료 재생 제조; 대표 논문 1. da chuan Jiang, shiqiang ren, Shuang Shi, Wei dong, Jie shan Qiu, yi tan, Jiayan Li: phosphorus removal from silicon by vacum refining and directional solidification, journal of electronic materials, 48 (2) (214) 314-319.2. 지야안리 Ya Qiong Li: research of boron removal from poly silicon using Cao-Al2O3-SiO 2-caf 2 slags, vacum, 13 (214) 3 에투, 샤우, 에두아르, 에두아르, 에두아르, 에두아르, 에두아르, 야오루: 에두아르 oxygen from Applied physics a, 115 (3) (214) 753-757.4.yi tan, shiqiang ren, Shuang Shi, shutao Wen, da chi Shi hai sun: removal of aluminum and calcium in multi crystalline silicon by vacum induction melting and directional solidification, vacation 99 (214) 272-276.5.yi tan, 시칭 진 Dayu pang: new method of boron removal from silicon by electron beam injection, materials science in semiconductor processing, 18 (214) 42-45.6. da chuan Jiang, Shuang Shi, yi tan, Dayu pang, Wei dong: research on distribution of aluminum in electron beam melted silicon ingot, vacum, 96 (213) 27-31.7 .. Da chuan Jiang, Wei dong, shiqiang ren: effect of cooling rate on solidification of electron beam melted silicon ingots, vacum. 89 (213) 12-16.8.yi tan, shutao Wen, Shuang Shi, da chuan Jiang, Wei dong, Xiaoliang Guo: numerical simulation for parameter optimization of silicon purification by electron beam melting, vacum, 95 (213) 18-24.9. Shuang Shi, Wei dong, Xu Peng, da chuan Jiang, Yitan: evaporation and removal me chani * * * of phosphorus from the surface of silicon melt during electron beam melting, applied set 266 (3) (213) 344-349.1.shutao Wen, yi tan, Shuang Shi, Wei dong, da chuan Jiang, jiao Liao Zhi Zhu: thermal contact resistance been the surfaces of silicon and copper crucible during electron beam melting, International journal of thermal sciences, 74 (213) 37-43.11.yi tan, xiaoliang Guo, Shuang Shi, Wei dong Da chuan Jiang: study on the removal process of phosphorus from silicon by electron beam melting, vacum, 93 (213) 65-7 Shuang Shi, Wei dong, Zheng gu, Rui Xun Zou: removal of phosphorus in molten silicon by electron beam candle melting, materiall 78 (212) 4-7.13. da chuan Jiang, yi tan, Shuang Shi, Wei dong, Zheng gu, Xiaoliang Guo: evaporated metal aluminium and calcium removal from directionally solidified silicon for solar cell by electron beam candle meam Vacum, 86 (1) (212) 1417-1422.14. da chuan Jiang, yi tan, Shuang Shi, Qiang Xu, Wei dong,, Rui Xun Zou: research on a new method of electron beam candle melting used for the removal of p from molten si, materials research innovations 15 (6) (211) 46-49.15.xu Peng, Wei dong, yi tan, da chuan Jiang: removal of aluminum from metallum Vacum, 86 (4) (211) 471-475.16. Qiang Wang, Wei dong, yi tan, da chuan Jiang, cong Zhang, Xu Peng: impurities evaporation from metallurgical-grade silicon in electron beam melting process, rare metals, 3(3) (211) 274-277. 작업 성과 프로젝트: 1. 국가자연과학기금 청년기금' 다결정 실리콘 방향성 응고 역유도천 효과 연구' 과제 책임자 2. 중국 박사후 과학기금' 다결정 실리콘 정향 정화 역유도천 기술 연구' 과제 책임자 3. 국가과학기술지원프로그램 프로젝트' 야금법 태양급 다결정 실리콘 준비 핵심 기술 연구 및 산업 합동 프로젝트' 야금법 준비 태양급 다결정 실리콘 중 진공정제 연구' 과제 참가자 5. 국가자연과학기금 프로젝트' 전자빔 주입 다결정 실리콘 Si/ SiO2 인터페이스에서 불순물 붕소 이동의 영향에 관한 연구' 참가자 보상: 1.213 년 12 월 랴오닝 (랴오닝) 성 과학기술발명상 2 등상 전자빔으로 태양급 다결정 실리콘 재료를 준비하는 기술 및 응용 2.212 년 11 월 대련 과학기술발명상 1 등상 전자빔으로 태양급 다결정 실리콘 재료를 준비하는 기술 및 응용 특허: 1. *** 팅, 강대천, 리 담이, 석상입니다. 밑바닥에 붕소를 보상하는 다결정 실리콘 주괴 공예, 신청번호: CN214112365.5 2. 담이, * * * 팅, 임세강, 석창, 강대천. 붕소가 고르게 분포된 다결정 실리콘 주괴 공예, 신청번호 처제산. 고순중공실리콘 재료, 다결정 실리콘 주괴 진공고액 분리 방법 및 설비, 신청번호: CN213129897.4 4. 강대천, 임세강, 석창, * * * 팅, 담이. 다결정 실리콘 빠른 응고 방법, 신청번호 임세강. 다결정 실리콘 주괴 실리콘 고체액 분리 방법 및 설비, 신청번호: CN2131217.1 6. 담이, 강대천, 석창, 온서타오, 추서경. 전자빔 용융용 방사선 차단장치, 신청번호: CN2131233 * * * 팅. 다결정 실리콘 역응고 장치 및 방법, 신청번호: CN213153845.7 8. 이가연, 담이, 리아경, 강대천, 왕등코, 장뢰 이아경. 다결정 실리콘 미디어 제련 시 브롬 제거제 및 그 사용 방법, 신청 번호: CN2131337756. 1. 담이, 석청, 임세강, 강대천. 다결정 실리콘 주괴 진공 고액 분리 방법 및 분리 설비, 신청 번호: CN 213121 강대천. 다결정 실리콘 매체 제련용 찌꺼기제 및 그 사용 방법, 신청번호: CN213133793.1 12. 담이, 강대천, 석창, 리아, 석뢰. 전자빔 제련으로 텅스텐 전극 재료를 준비하는 방법, 신청번호: CN 2121577 곽교량. 전자빔이 방향성 응고를 유도하는 방법, 신청번호: CN2121289971.3 14. 담이, 석창, 유강강, 강대천, 석소뢰. 희토 전극 재료의 제비 방법, 신청번호: CN2121576414 강대천. 고순실리콘 기판 아래 전자빔이 다결정 실리콘을 정제하는 방법 및 설비, 신청번호: CN211122767.1 16. 담이, 강대천, 동위, 곽교량, 고정,